MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,中低壓mos公司,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。
做電源設(shè)計(jì),或者做驅(qū)動(dòng)方面的電路,難免要用到MOS管。MOS管有很多種類,也有很多作用。做電源或者驅(qū)動(dòng)的使用,當(dāng)然就是用它的開關(guān)作用。
無論N型或者P型MOS管,WP中低壓mos,其工作原理本質(zhì)是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性,不會(huì)發(fā)生像三極管做開關(guān)時(shí)的因基極電流引起的電荷存儲(chǔ)效應(yīng),因此在開關(guān)應(yīng)用中,MOS管的開關(guān)速度應(yīng)該比三極管快。
公司成立于2013年7月,專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn),并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛,為您量身定制適合的芯片方案。
分辨MOS管優(yōu)劣的辦法有二種:
一種:定性分辨MOS管的優(yōu)劣
先用萬用表R×10kΩ擋(內(nèi)嵌有9V或15V充電電池),把負(fù)表筆(黑)接?xùn)艠O(G),正表筆(紅)接源極(S)。給柵,中低壓mos廠家,源極中間電池充電,這時(shí)萬用表表針有輕度偏轉(zhuǎn)。再改成萬用表R×1Ω擋,將負(fù)表筆接漏極(D),正筆接源極(S),萬用表標(biāo)示值若為幾歐母,則表明MOS管是好的。
第二種:定性分辨結(jié)型MOS管的電級(jí)
將萬用表撥至R×100檔,紅表筆隨意接一個(gè)腳管,黑表筆則接另一個(gè)腳管,使第三腳懸在空中。若發(fā)覺表針有輕微的晃動(dòng),就證實(shí)第三腳為柵極。欲得到更顯著的觀查實(shí)際效果,還可電子振動(dòng)挨近或是用手指觸碰懸在空中腳,只需見到表針作大幅偏轉(zhuǎn),即表明懸在空中腳是柵極,其他二腳分別是源極和漏極。
公司成立于2013年7月,專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn),并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛,為您量身定制適合的芯片方案。
場(chǎng)效應(yīng)管有兩大類型:N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中,場(chǎng)效應(yīng)管可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在n溝道場(chǎng)效應(yīng)管的柵極和源極間加上正電壓時(shí),其開關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí),電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻,稱為導(dǎo)通電阻RDS(ON)。必須清楚場(chǎng)效應(yīng)管的柵極是個(gè)高阻抗端,因此,總是要在柵極加上一個(gè)電壓。如果柵極為懸空,器件將不能按設(shè)計(jì)意圖工作,并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r(shí)刻導(dǎo)通或關(guān)閉,導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當(dāng)源極和柵極間的電壓為零時(shí),開關(guān)關(guān)閉,而電流停止通過器件。雖然這時(shí)器件已經(jīng)關(guān)閉,慈溪中低壓mos,但仍然有微小電流存在,這稱之為漏電流,即IDSS。
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