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主營：晶體振蕩器,晶體諧振器,壓控振蕩器
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晶振的負載電容
晶振有一個重要的參數，差分輸出晶振生產廠家，那就是負載電容值，選擇與負載電容值相等的并聯(lián)電容，就可以得到晶振標稱的諧振頻率。
一般的晶振振蕩電路都是在一個反相放大器（注意是放大器不是反相器）的兩端接入晶振，再有兩個電容分別接到晶振的兩端，差分輸出晶振報價，每個電容的另一端再接到地，這兩個電容串聯(lián)的容量值就應該等于負載電容，請注意一般IC的引腳都有等效輸入電容，這個不能忽略。
一般的晶振的負載電容為15p或12.5p ，如果再考慮元件引腳的等效輸入電容，則兩個22p的電容構成晶振的振蕩電路就是比較好的選擇。負載電容+等效輸入電容=22pF。
晶體振蕩器的特性
溫度特性:指在其他條件不變的情況下，差分輸出晶振，溫度對其頻率穩(wěn)定度的影響
電壓特性:指在其他條件不變的情況下，電壓的變化(小幅度紋波)對其頻率穩(wěn)定度的影響
壓控電壓:有些晶振會有一個VC腳位，通過外加電壓調節(jié)輸出頻率，一般牽引范圍在PPM級別
雜散:指相噪曲線上的一些毛刺，源于放大器或者混頻器的噪音
短期穩(wěn)定性:理想的振蕩器的輸出電壓為正弦曲線。實際的振蕩器輸出電壓由于噪聲的影響是偏移的正弦曲線的
選擇振蕩器時需要考慮哪些因素
選擇振蕩器時需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，差分輸出晶振原廠，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時，相當于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負載電容，整個電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負載電容，相應地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個微安到可編程器件的幾個毫安。一種低功率的硅振蕩器，如MAX7375，工作在4MHz時只需不到2mA的電流。在特定的應用場合優(yōu)化時鐘源需要綜合考慮以下一些因素：精度、成本、功耗以及環(huán)境需求。
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第4年
