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ZL205A微弧氧化膜層耐蝕性能研究
利用硅酸鹽復合電解液體系，在ZL205A上采用微弧氧化法制備膜層。
所用的工藝參數(shù)為：恒流控制，電流密度3 A/dm^2，頻率500 Hz，終止電壓450 V。利用掃描電鏡對該膜層的形貌及結構進行分析；對膜層的化學成分進行分析；采用極化曲線評價膜層的耐蝕性。
結果表明：所制備的微弧氧化膜層能提高ZL205A的耐蝕性。
時間對微弧氧化封孔膜層增厚的影響
在其他工藝參數(shù)相同的情況下，不同封閉時間對陶瓷膜膜層增厚的影響。封閉時間較短時，鈦合金微弧氧化技術，膜層增厚較少；隨著時間的延長，膜層逐漸增厚；但是封閉時間過長，如封閉時間超過60min后，微弧氧化技術優(yōu)點，膜層增厚并不顯著，而且有下降的趨勢。
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用正交試驗法，對影響7075鋁合金微弧氧化膜層致密性的電參數(shù)進行優(yōu)化。以膜層厚度和孔隙率作為指標，以正向電壓、電流密度、正占空比和脈沖頻率作為因素設計，并開展了四因素三水平的正交試驗。使用掃描電鏡對正交試驗后微弧氧化陶瓷膜層的表面形貌進行了觀察；利用Image J軟件對陶瓷膜層的膜層厚度及孔隙率進行測量。
結果表明：影響微弧氧化陶瓷膜層厚度的電參數(shù)順序從大到小依次為：正向電壓〉電流密度〉正占空比〉脈沖頻率；
影響微弧氧化膜層孔隙率的電參數(shù)順序從大到小依次為：正向電壓〉電流密度〉正占空比〉脈沖頻率；
采用綜合平衡法確定的電參數(shù)的優(yōu)化結果為：正向電壓550V、電流密度8 A/dm^2、正占空比20%、頻率400Hz。
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第6年
