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北京晶宇興科技有限公司
主營：晶體振蕩器,晶體諧振器,壓控振蕩器
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晶體振蕩器基本知識
1、概念：電路上為一個電容和一個電阻并聯(lián)再串聯(lián)一個電容的二端網(wǎng)絡(luò)，有兩個諧振點，較低的頻率是串聯(lián)諧振，較高的頻率是并聯(lián)諧振。
這兩個頻率接近，再很窄的頻率范圍內(nèi)，晶振等效為一個電感，只要在晶振的兩端并聯(lián)上合適的電容就可以組成并聯(lián)諧振電路。
2、選擇與負(fù)載電容值相等的并聯(lián)電容，就可以得到晶振標(biāo)稱的諧振頻率；
3、分類：無源晶振（crystal，晶體）、有源晶振（oscillator，振蕩器）；
4、振蕩原理：壓電效應(yīng)；
5、壓電諧振：當(dāng)外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率（決定于晶片的尺寸）相等時，機械振動的幅度急劇增加；
6、石英晶體振蕩器是利用石英晶體的壓電效應(yīng)來起振，石英晶體諧振器是利用石英晶體和內(nèi)置IC來共同作用工作的；
振蕩器直接應(yīng)用于電路中，諧振器的工作一般需要提供3.3V的電壓來維持工作。
振蕩器比諧振器多了一個重要的技術(shù)參數(shù)：諧振電阻（RR）；
7、Q值：衡量電感的主要參數(shù)，指電感器再某一頻率的交流下工作時，所呈現(xiàn)的感抗與等效損耗電阻之比。
Q值越高，損耗越小，效率越高；
為什么晶振尺寸越小，產(chǎn)品的靈活度越高
近年來，智能手機等移動設(shè)備、可穿戴式設(shè)備及IoT設(shè)備等使用智能的電子設(shè)備迅速普及。而且，為了提高產(chǎn)品的設(shè)計靈活度和可穿戴舒適度并確保配置新功能所用的空間，要求這些產(chǎn)品上搭載的元器件的尺寸和功耗降低到極限。以晶振為例，在智能硬件還未興起的年代，3225貼片晶振使用較為廣泛，2520也算是尺寸相對較小的無源晶振封裝了。如今，LVDS輸出壓控晶體振蕩器生產(chǎn)廠家，智能產(chǎn)品上所搭載的無源晶振多以1612貼片晶振，2016貼片晶振為主。這些晶振由于體積過于渺小，需要放大鏡甚至顯微鏡才能看清真實面目。電子元器件一致改小，那么它們之間的間距也會縮短，這樣來，有個好處就是能讓不同晶體管終端的電容量降低，從而提升它們的交換頻率。因為每個晶體管在切換電子信號的時候，所消耗的動態(tài)功耗會直接和電流容量相關(guān)，從而使得運行速度加快，高速傳輸壓控晶體振蕩器生產(chǎn)廠家，能耗變小。明白了這一點，壓控晶體振蕩器生產(chǎn)廠家，也就不難理解為什么制程的數(shù)值越小，制程就越；元器件的尺寸越小，處理器的集成度越高，因此靈活度更高，LVPECL輸出壓控晶體振蕩器生產(chǎn)廠家，處理器的功耗反而越低的道理了。
溫補晶振介紹
溫補晶振輸出方式分：削峰正弦波輸出（+/-1ppm@-40℃--+85℃），CMOS 方波輸出（+/-1ppm@-40℃--+85℃），LVDS 差分方波輸出（+/-1ppm@-40℃--+85℃）（0.8p 低抖動）。另外溫補晶振 32.768KHz 低功耗可達（0.79μA@1.8V，1.05μA@2.5V，1.25μA@3.0V，1.37μA@3.3V，2.05μA@5V）。
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第4年
