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壓控晶體振蕩器生產(chǎn)廠家-晶宇興科技有限公司

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晶體振蕩器基本知識

1、概念:電路上為一個電容和一個電阻并聯(lián)再串聯(lián)一個電容的二端網(wǎng)絡(luò),有兩個諧振點,較低的頻率是串聯(lián)諧振,較高的頻率是并聯(lián)諧振。

這兩個頻率接近,再很窄的頻率范圍內(nèi),晶振等效為一個電感,只要在晶振的兩端并聯(lián)上合適的電容就可以組成并聯(lián)諧振電路。

2、選擇與負(fù)載電容值相等的并聯(lián)電容,就可以得到晶振標(biāo)稱的諧振頻率;

3、分類:無源晶振(crystal,晶體)、有源晶振(oscillator,振蕩器);

4、振蕩原理:壓電效應(yīng);

5、壓電諧振:當(dāng)外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率(決定于晶片的尺寸)相等時,機械振動的幅度急劇增加;

6、石英晶體振蕩器是利用石英晶體的壓電效應(yīng)來起振,石英晶體諧振器是利用石英晶體和內(nèi)置IC來共同作用工作的;

振蕩器直接應(yīng)用于電路中,諧振器的工作一般需要提供3.3V的電壓來維持工作。

振蕩器比諧振器多了一個重要的技術(shù)參數(shù):諧振電阻(RR);

7、Q值:衡量電感的主要參數(shù),指電感器再某一頻率的交流下工作時,所呈現(xiàn)的感抗與等效損耗電阻之比。

Q值越高,損耗越小,效率越高;

為什么晶振尺寸越小,產(chǎn)品的靈活度越高

近年來,智能手機等移動設(shè)備、可穿戴式設(shè)備及IoT設(shè)備等使用智能的電子設(shè)備迅速普及。而且,為了提高產(chǎn)品的設(shè)計靈活度和可穿戴舒適度并確保配置新功能所用的空間,要求這些產(chǎn)品上搭載的元器件的尺寸和功耗降低到極限。以晶振為例,在智能硬件還未興起的年代,3225貼片晶振使用較為廣泛,2520也算是尺寸相對較小的無源晶振封裝了。如今,LVDS輸出壓控晶體振蕩器生產(chǎn)廠家,智能產(chǎn)品上所搭載的無源晶振多以1612貼片晶振,2016貼片晶振為主。這些晶振由于體積過于渺小,需要放大鏡甚至顯微鏡才能看清真實面目。電子元器件一致改小,那么它們之間的間距也會縮短,這樣來,有個好處就是能讓不同晶體管終端的電容量降低,從而提升它們的交換頻率。因為每個晶體管在切換電子信號的時候,所消耗的動態(tài)功耗會直接和電流容量相關(guān),從而使得運行速度加快,高速傳輸壓控晶體振蕩器生產(chǎn)廠家,能耗變小。明白了這一點,壓控晶體振蕩器生產(chǎn)廠家,也就不難理解為什么制程的數(shù)值越小,制程就越;元器件的尺寸越小,處理器的集成度越高,因此靈活度更高,LVPECL輸出壓控晶體振蕩器生產(chǎn)廠家,處理器的功耗反而越低的道理了。

溫補晶振介紹

溫補晶振輸出方式分:削峰正弦波輸出(+/-1ppm@-40℃--+85℃),CMOS 方波輸出(+/-1ppm@-40℃--+85℃),LVDS 差分方波輸出(+/-1ppm@-40℃--+85℃)(0.8p 低抖動)。另外溫補晶振 32.768KHz 低功耗可達(dá)(0.79μA@1.8V,1.05μA@2.5V,1.25μA@3.0V,1.37μA@3.3V,2.05μA@5V)。

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