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一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。G:gate 柵極;S:source 源極;D:drain 漏極。MOS管的source(源極)和drain(耗盡層)是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。場效應(yīng)管分為PMOS管(P溝道型)和NMOS(N溝道型)管,屬于絕緣柵場效應(yīng)管。

MOS管失效的兩個(gè)主要原因:

電壓失效:即漏源間的BVdss電壓超過MOS管額定電壓,達(dá)到一定容量,造成MOS管失效。

柵電壓故障:柵極遭受異常電壓尖峰,造成柵氧層故障。

雪崩破壞到底是什么?簡單地說,3080mos生產(chǎn)廠家,MOS管是由母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等與MOS管之間疊加而形成的故障模式。簡而言之,即MOS管漏源極的電壓超過了它規(guī)定的電壓值,并且達(dá)到了某一能量極限i時(shí)所產(chǎn)生的常見故障。

造成柵電壓異常高的主要原因有三個(gè):生產(chǎn)、運(yùn)輸和裝配過程中的靜電;設(shè)備和電路寄生參數(shù)在電力系統(tǒng)運(yùn)行過程中產(chǎn)生高壓諧振;在高壓沖擊時(shí),高壓通過Ggd傳輸?shù)诫娋W(wǎng)(雷擊測試時(shí)這種故障更為常見)。

公司成立于2013年7月,專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn),3080mos廠家,并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛,為您量身定制適合的芯片方案。

mos管失效的六個(gè)原因:

1、電壓失效是大家常說漏源間的BVdss電壓超出了mosfet的額定電壓,而且超出了一定的能力進(jìn)而導(dǎo)致mosfet失效。

2、電流失效即是超過了mosfet安全工作范圍而造成的無效,其中又分為Id超出器件規(guī)格而導(dǎo)致的失效以及其Id過大,3080mos公司,耗損過高導(dǎo)致器件長期熱累積而導(dǎo)致的失效。

3、在橋式、LLC等有效到體二極管開展續(xù)流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中,因?yàn)轶w二極管遭到毀壞而導(dǎo)致的無效。

4、在并聯(lián)的應(yīng)用過程中,溫州3080mos,柵極跟電路寄生參數(shù)導(dǎo)致波動(dòng)會(huì)造成諧振失效。

5、在干燥的環(huán)境中,因?yàn)槿梭w跟設(shè)備而產(chǎn)生的靜電會(huì)導(dǎo)致器件的靜電無效。

6、因?yàn)闁艠O出現(xiàn)異常工作電壓頂i峰,導(dǎo)致柵極電壓無效。

溫州3080mos-炫吉電子科技公司-3080mos公司由蘇州炫吉電子科技有限公司提供?!皢纹瑱C(jī),MOS,大電流mos”選擇蘇州炫吉電子科技有限公司,公司位于:蘇州市相城區(qū)渭塘鎮(zhèn)渭涇西路10-7號(hào),多年來,炫吉電子堅(jiān)持為客戶提供好的服務(wù),聯(lián)系人:陳鶴。歡迎廣大新老客戶來電,來函,親臨指導(dǎo),洽談業(yè)務(wù)。炫吉電子期待成為您的長期合作伙伴!

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