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主營：電磁離合器,磁粉離合器,微型電磁離合器
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假設(shè)電荷存儲在電極①(加有10V電壓)下面的勢阱中，如圖2(a)所示，加在CCD所有電極上的電壓，通常都要保持在高于某一臨界值電壓Vth，CCD傳感器報(bào)價(jià)，Vth稱為CCD閾值電壓，設(shè)Vth=2V。所以每個(gè)電極下面都有一定深度的勢阱。顯然，電極①下面的勢阱深，如果逐漸將電極②的電壓由2V增加到10V，這時(shí)，CCD傳感器多少錢，①、②兩個(gè)電極下面的勢阱具有同樣的深度，并合并在一起，原先存儲在電極①下面的電荷就要在兩個(gè)電極下面均勻分布，(b)和(c)所示，然后再逐漸將電極下面的電壓降到2V，使其勢阱深度降低，(d)和(e)所示，這時(shí)電荷全部轉(zhuǎn)移到電極②下面的勢阱中，此過程就是電荷從電極①到電極②的轉(zhuǎn)移過程。如果電極有許多個(gè)，可將其電極按照1、4、7…，CCD傳感器廠，2、5、8…和3、6、9…的順序分別連在一起，加上一定時(shí)序的驅(qū)動脈沖，義烏市CCD傳感器，即可完成電荷從左向右轉(zhuǎn)移的過程。用3相時(shí)鐘驅(qū)動的CCD稱為3相CCD。
調(diào)制傳遞函數(shù)MTF特性：固態(tài)圖像傳感器是由像素矩陣與相應(yīng)轉(zhuǎn)移部分組成的。固態(tài)的像素盡管己做得很小，并且其間隔也很微小，但是，這仍然是識別微小圖像或再現(xiàn)圖像細(xì)微部分的主要障礙。
輸出飽和特性：當(dāng)飽和曝光量以上的強(qiáng)光像照射到圖像傳感器上時(shí)，傳感器的輸出電壓將出現(xiàn)飽和，這種現(xiàn)象稱為輸出飽和特性。產(chǎn)生輸出飽和現(xiàn)象的根本原因是光敏二極管或MOS電容器僅能產(chǎn)生與積蓄一定極限的光生信號電荷所致。
電荷禍合器件CCD的基本原理是在一系列MOS電容器金屬電極上，加以適當(dāng)?shù)拿}沖電壓，排斥掉半導(dǎo)體襯底內(nèi)的多數(shù)載流子，形成“勢阱”的運(yùn)動，進(jìn)而達(dá)到信號電荷(少數(shù)載流子)的轉(zhuǎn)移。如果所轉(zhuǎn)移的信號電荷是由光像照射產(chǎn)生的，則CCD具備圖像傳感器的功能;若所轉(zhuǎn)移的電荷通過外界注入方式得到的，則CCD還可以具備、信號處理、數(shù)據(jù)存儲以及邏輯運(yùn)算等功能。
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